Ветошко Пётр Михайлович 

Группа № 4. «Магнитная сенсорика».

                        Руководитель: к.ф.-м.н., н.с. П.М.Ветошко.

            Проводятся теоретические, экспериментальные и прикладные исследования в области создания рекордных по чувствительности и технологичности магнитных датчиков, функционирующих при комнатной температуре, для создания нового уровня в технике магнитных измерений в промышленности, биомедицинской технологии, научных исследованиях. Работы проводятся в тесном творческом сотрудничестве с МФТИ, ИОФАН, Российским Квантовым Центром, НПО «Карат», г. Львов.

        Основные результаты, полученные по данному направлению в 2011-2015 годах:

            1. Для создания рекордных по чувствительности магнитных сенсоров разработана концепция магнитных элементов с управляемым магнитостатическим потенциалом. Методом фотолитографии по гранату созданы экспериментальные образцы магнитооптических сенсорных элементов. Теоретически обоснована и экспериментально подтверждена возможность создания чувствительного элемента магнитного сенсора с уединенной доменной стенкой в состоянии безразличного равновесия.

        2. Для получения предельно малых значений собстенных шумов магнитометра с целью увеличения чувствительности изучалась роль различных механизмов затухания в формировании установившегося режима прецессии намагниченности в магнитоупругой среде, в частности рассмотрены механизмы формирование магнитного затухания за счет упругой диссипации в схеме ротационного магнетометра. Выявлено определяющее влияние подложки на характер магнитоупругих колебаний в структуре «магнитная пленка – немагнитная  подложка».

        3. Для проверки чувствительности изготовленных структур экспериментально изучались особенности поперечной магнитной восприимчивости в плоскости (111) замещенных ферритов-гранатов для магнитосенсорных применений. В гранатах состава (Tm)3(FeSc)5(O)12 получены значения эффективной анизотропии в плоскости пленки менее 0.03 Э, что в 100 раз меньше чем в железо-иттриевом гранате. На основе полученных пленок изготовлен макет феррозондового магнитометра с рекордной чувствительностью 100 фТл/Гц^0.5.

        Основные результаты проведенной работы (2011 – 2015 годы) представлены в 8 статьях и 1 патенте:

1.  Skidanov V.A., Vetoshko P.M., Stempkovsky A.L. Hysteresis Loop Design by Geometry of Garnet Film Element with Single Domain Wall.   Journal of Physics:   Conference Series. 2011. V. 266. 012125, doi:10.1088/1742-6596/266/1/012125

2. Petr Vetoshko, Vladimir Skidanov, and Alexander Stempkovskiy, Magnetization Distribution Near Edge of YIG Film Core in Fluxgate Magnetometer,  Sensor Lett. 11, 59-61 (2013)

3. Ветошко П.М., Шавров В.Г., Щеглов В.И. Роль различных механизмов затухания в формировании установившегося режима прецессии намагниченности в магнитоупругой среде. Труды XXII    Международной конференции "ЭЛЕКТОМАГНИТНОЕ ПОЛЕ И МАТЕРИАЛЫ", Москва 21-22 ноября 2014г. с.237-253

4. Ветошко П.М., Шавров В.Г., Щеглов В.И. Формирование магнитного затухания за счет упругой диссипации в схеме ротационного магнетометра. Журнал радиоэлектроники, №11, 2014г. с. 1-56 .

5. Ihor I. Syvorotka, Petr M. Vetoshko, Vladimir A. Skidanov, Vladimir G. Shavrov, and Ihor M. Syvorotka. In-Plane Transverse Susceptibility of (111)-Oriented Iron Garnet Films. IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL. 51, NO. 1, JANUARY 2015

6. Vladimir A. Skidanov, Petr M. Vetoshko, Fedor P. Vetoshko,Ludmila  Uspenskaya, and Alexander L. Stempkovskiy. Modeling of Magnetization Distribution Near Shaped Boundary of Garnet Film Core in Fluxgate Magnetometer. IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL. 51, NO. 1, JANUARY 2015

7. П.М. Ветошко, В.Г. Шавров, В.И. Щеглов. Роль упругой диссипации в формировании затухания прецессии намагниченности в магнитоупругой среде.     Письма в ЖТФ, 2015, том 41, вып. 21

8. Ветошко П.М., Шавров В.Г., Щеглов В.И.  Влияние подложки на магнитоупругие колебания в структуре «магнитная пленка – немагнитная     подложка». Журнал радиоэлектроники, №8, 2015 г. с. 1-33. 

9. П.М.Ветошко, А.А.Назаров, В. Р.Новак, В.А.Скиданов, А.Л.Стемпковский. Способ и устройство для создания магнитного поля, локализованного в нанометровой области пространства. Патент РФ №2447527. Приоритет от 27 апреля 2011. Зарегистр. в Гос. реестре изобр. РФ 10 апреля 2012 г.